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富士IGBT模塊7MBI40N-120

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

  • 產(chǎn)品型號:7MBI40N-120
  • 廠商性質:經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-01-19
  • 訪  問  量:3883
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北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品銷售富士7單元IGBT模塊7MBI40N-120

Features
· High Speed Switching
· Voltage Drive
· Low Inductance Module Structure
· Dynamic Brake Circuit

日本fuji富士 IGBT 模塊7單元600V系列:
7MBI100SA-0607MBI150SA-0607MBI200SA-0607MBI150U2E-060
7MBI200U2E-0607MBI75SA1207MBI100SA1207MBI100UE120
7MBI75N-0607MBI100N-0607MBI40N-1207MBI50N-120
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