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英飛凌igbt斬波模塊FD1600/1200R17KF6C_B2

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

  • 產(chǎn)品型號:FD1600/1200R17KF6C_B
  • 廠商性質:經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-01-19
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1700V  1200A

典型應用
大功率變流器
電機傳動

UPS系統(tǒng)
電氣特性
增加阻斷電壓至
650V
提高工作結溫Tvjop
高短路能力,自限制短路電流

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